Treść zadania

Taki mały teścik z podstaw elektroniki;

1. Współczynnik szumów własnych diody to:
A. stosunek szumów w. cz. do całkowitych szumów pośredniej częstotliwości
B. strata przemiany diody
C. stosunek mocy dysponowanej szumów diody do mocy dysponowanych szumów cieplnych równoważnego rezystora w temp. 290 K

2. Symbol graficzny diody przedstawiony na rysunku dotyczy:
A. diody waraktorowej

B. fotodiody
C. diody elektroluminescencyjnej


3. Wykres na rysunku przedstawia:
A. charakterystykę prądowo-napięciową diody prostowniczej

B. charakterystykę prądowo-napięciową diody tunelowej

C. charakterystykę stabilizatora z zastosowaniem diody Zenera


4. Straty przemiany diody to:
A. stosunek całkowitej mocy w. cz. do całkowitej mocy wejściowej pośredniej częstotliwości ???
B. stosunek mocy dysponowanej do mocy dysponowanej równoważnego rezystora
C. stosunek prądu wyprostowanego do całkowitej mocy w cz. doprowadzonej do diody

5. Napięcie polaryzujące diod luminescencyjnych w kierunku przewodzenia wynoszą:
A. od 1.2V do 2.1V ( a tak naprawdę 1,2-3,6)
B. od 0.25V do 0.3V
C. od 3V do 6V

6. Czułość prądowa diody to:
A. stosunek prądu szumów diody do mocy dysponowanej szumów cieplnych równoważnego rezystora w temp 290K
B. stosunek prądu wyprostowanego pomierzonego w warunkach zwarciowych do całkowitej mocy w cz. doprowadzonej do diody
C. stosunek prądu w. cz. całkowitej mocy wejściowej pośredniej częstotliwości

7. Które dane decydują o właściwości diody tunelowej:
A. należą do grupy półprzewodnikowych diod warstwowych o grubym złączu
B. nośniki prądu tworzą prąd tunelowy i przechodzą przez barierę potencjału bez strat energii
C. Tunelowe przejście nośników prądu możliwe jest tylko wówczas gdy istnieje po przeciwnej stronie inny stan energetyczny

8. Wartość pojemności diody warstwowej zależy od:
A. wartości przyłożonego w kierunku zaporowym napięcia
B. źródła napięcia referencyjnego
C. momentu w którym krzywa charakterystyki ulega ……..

9. Rezystancja złącza diody na wskaźniku omomierza jest:
A. mała
B. duża
C. brak wychylenia wskazówki omomierza

10. Wykres na rysunku przedstawia:
A. Przekroczenie maksymalnego napięcia wstecznego
B. Charakterystykę diody pojemnościowej
C. Charakterystykę prądowo-napięciowo diody pojemnościowej



11. Parametry statyczne diody określają zależność między prądami i napięciami stałymi wsadzonymi do elementu półprzewodnikowego. Umożliwiają one:
A. Charakterystykę elementu półprzewodnikowego w strefie aktywnej
B. Opisanie elementu przy pracy dwustanowej
C. Ustalenie punktu pracy danego elementu

25. Aby na wejściu wzmacniacza operacyjnego uzyskać wysoką impedancję należy:
A. zastosować na wejściu odejmowanie prądów wejściowych
B. zastosować na wejściu tranzystory polowe FET lub MOSFET
C. zastosować na wejściu czysto rezystancyjny charakter wejść


26. Rysunek przedstawia wzmacniacz:
A. z wyjściem nie symetrycznym
B. z wyjściem w pełni symetrycznym
C. różnicowy z poszerzonym zakresem liniowości

27. Od wzmacniaczy pomiarowych wymaga się:
A. słabej dynamiki w odtwarzaniu wartości wielkości mierzonej
B. dużej impedancji wejściowej małej wyjściowej
C. dużego wpływu na źródła wielkości mierzonej

28. Wejściowe napięcie niezrównoważenia we wzmacniaczu operacyjnym (napięcie offsytu???) …………….
A. Jakie trzeba przyłożyć między wejściami aby zniwelować niesymetrię wejściowego……….
B. które zależy od zastosowanych napięć zasilających
C. które pokazuje ile woltów może wzrosnąć sygnał w czasie 1ms

29. Licznik buduje się z odpowiednio ze sobą połączonych przerzutników. Większy zakres zliczania zależy od:
A. szeregowego połączenia liczników impulsowych
B. pojemności i liczby przerzutników
C. równoległego połączenia gdzie następuje szybsze ustalenie się nowej liczby

30. Najmniejsza szerokość ścieżek , które można wykonać metodami fotograficznymi (warunkach amatorskich)
wynosi?
A. 1.5 mm
B. 1.2 mm
C. 0.3 mm

31. W jakim celu po procesie miedziowania chemicznego i elektrochemicznego stosuje się osadzanie powłok Sn-Pb?
A. w celu selektywnego zabezpieczenia ścieżek drukowanych, pól lutowniczych przed trawieniem
B. w celu uzyskania lepszej lutowności
C. w celu uzyskania szybszego nagrzewania radiacyjnego

32. Które z poniższych to zalety montażu powierzchniowego względem……
A. zmniejszenie szerokości ścieżek i pól lutowniczych, obniżenie kosztów produkcji
B. zmniejszenie gęstości upakowania elementów dzięki …….. węższym ścieżkom
C. wyroby finalne mają większa masę przy mniejszej objętości


33. Jedną z operacji procesu technologicznego płytek jednowarstwowych jest nakładanie maski przeciw….
C. poprawna odpowiedz!!!!

34. Sitodruk w obwodzie drukowanym to:
A. białe przepusty w płytkach wielowarstwowych
B. otwory na elementy elektroniczne
C. nadruki na płytce do oznaczania miejsc montażu elementów

35. SMT obwodów drukowanych to:
A. montaż powierzchniowy
B. technika sitodruku wykonania płytki
C. montaż przewlekany




36. Symbol na rysunku przedstawia tranzystor:
A. Z kanałem typu N wzbogaconym
B. Z kanałem typu P zubożanym
C. Z kanałem NPN wzbogaconym rys 2

37. Badanie rezystancji złącza za pomocą omomierza jak na rysunku daje wynik
A. Małej rezystancji
B. Dużej rezystancji
C. Brak wskazań

38. Wartość pojemności diody waraktorowej zależy od
A. Progu przewodzenia który wynosi od 1.5V do 2.5V
B. Niskiej upływności z bardzo niskim prądem wstecznym
C. Wartości napięcia przyłożonego w kierunku zaporowym

39. Aby tranzystor znajdował się w stanie normalnej pracy musi być spełniony następujący warunek
A. Potencjał kolektora musi być niższy od potencjału emitera
B. Baza-emiter musi być spolaryzowana w kierunku przewodzenia
C. Kolektor-baza musi być spolaryzowany w kierunku przewodzenia rys 1

40. Tranzystory JEFT (junction- FET) , czyli takie w których:
A. Wykorzystano efekt polowy typu złączowego
B. Dwie diody połączone szeregowo
C. Zastosowano dużą liczbę emiterów dla uzyskania dużej mocy

41. Złączowe tranzystory unipolarne maja strukturę:
A. JEFT z kanałem typu N lub P
B. MOS z kanałem typu P
C. MOSFET z kanałem typu P i N

42. Najczęściej spotykanymi charakterystykami tranzystora N-P-N i P-N-P są:
A. Charakterystyka drenowa
B. Charakterystyka prądowo-napięciowa
C. Charakterystyka wejściowa i wyjściowa



43. Układ w tranzystorze unipolarnym o wspólnym drenie oznaczamy
A. OG
B. OD
C. OS

44. Tranzystory unipolarne z izolowana bramką maja strukturę:
A. MOS
B. JFET z kanałem typu p
C. Bipolarnego tranzystora jednozłączowego

45. Od czego zależy rodzaj kanału w tranzystorze polowym:
A. Od rodzaju nośników prądu
B. Od rozszerzenia lub zwiększenia warstwy zaporowej
C. Od polaryzacji drenu bramki

46. Które z wymienionych ustawień opisuje tranzystor bipolarny dwuzłączowy…..
A. Złącze B-E i B-C spolaryzowane są w kierunku przewodzenia
B. Złącze B-E spolaryzowane jest w kierunku przewodzenia a B-C zaporowo
C. Obydwa złącza spolaryzowane są zaporowo

47. Jaka konfiguracja umożliwia pomiar parametrów statycznych tranzystora NPN bipolarnego
A. Poprawna odpowiedz

48. Szybkość zmian napięcia wejściowego decyduje o szybkości wzmacniacza……???
A. Maksymalnej pochodnej napięcia wyjściowego
B. Oporności wejściowej dzięki czysto pojemnościowemu……….???
C. Współczynnika tłumienia sygnału współbieżnego